徐川也不例外，尤其是他现在手上还掌控着这样一个大杀器。
思索了一下，徐川摇了摇头，将脑海中的想法抛了出去。
别看传统硅基芯片计算机的芯片中动辄上百亿的晶体管，而量子比特的数量听起来少的可怜。
尽管理论和应用还隔着很大的距离，但有了理论基础的指引，应用前进的方向已然清晰。
将稿纸整理好，放进抽屉中，徐川靠在椅背上盯着不远处的书架思索了起来。
小型化可控核聚变技术和空天发动机都还没搞定，目前最主要的精力还是先放到这个上面再说。
但因为需要额外补充能量的关系，这些手段大概都不太适合强化临界磁场的超导体。
进入实验室，换上工作服，他找了两个正式研究员当助理，亲自开始制备引入了抗强磁性机理的高温铜碳银复合超导材料。
不仅仅是因为以米国为首的西方国家在硅基芯片上耕耘了几十年的时间，建立起来了一套完善的规则和先进的光刻技术，导致其他国家只能追赶没法超越外；更有硅基芯片差不多已经快走到尽头的原因。
而量子计算机的计算能力，是随着量子比特的操控数指数上升的。
通过真空冶金设备制造出纯度高、结晶组织好、粒度大小可控的原料，这是制备铜碳银复合材料的基础。
不过徐川也没太在意，这三天的时间，是完全值得的。
而他手中的这份拓扑物态的产生机制和特性的研究机理论文，可以在很大程度上解决这个问题。
各有各的优势，也各有各的缺点，的确很难让人抉择。
除了高温高压外，还有渗透生长、溶液法、气相沉积法、物理沉积法等办法。
不过理论上表现出的如此诱人前景，自然吸引了无数国家和科学机构将注意力投入到这个上面来。
传统的芯片一直以来材料都是以硅材料为主，但是随着芯片工艺的不断提升，硅基芯片正在不断的逐渐逼近它极限。
如果能将量子计算机的计算比特提升到五百，那么这台计算机将全方位吊打目前所有的超算。
对拓扑物态的产生机制和特性进行研究，其实可以算得上是强关联电子大统一框架理论的延续。
后面到了7纳米到5纳米之间的时候，这种现象再次出现，而asml则通过发明了euv光刻机，这大幅提升了光刻能力，才解决了这一问题。
所谓隧穿效应，简单来说就是微观粒子，比如电子可以直接穿越障碍物的一种现象。
只不过他在考虑的是，是和国家合作，一起发展量子计算机领域，构建规则，掌控量子霸权，还是自己先继续研究一下。
毕竟如今的量子计算机，已经构建了相当完善的理论基础，甚至实现了操控两位数量子比特的实体计算机，发展前途一片光明。
在之前芯片达到20纳米的时候，硅基芯片就曾经出现过这种漏电现象。
而寻找一种代替性的材料，亦或者发展其他发现的计算机，是芯片和计算机行业一直在做的事情。
量子芯片与量子计算机毫无疑问的是未来发展线路中占比最重要的一条。
因为重要性相当高。
先走一步看一步吧。量子计算机的发展，他目前也抽不出什么时间来做这事。
或许在这一过程中，科学家会想各种办法来解决这个问题。
满足的伸了个懒腰，徐川站起身活动了一下筋骨。
具体到芯片上面，就是当芯片的工艺足够小的时候，原本在电路中正常流动构成电流的电子就不会老老实实按照路线流动，而是会穿过半导体闸门，到处乱串，最终形成漏电等各种问题。
为量子芯片的构造材料提供理论基础的论文，这种东西无论是发在哪个国家，都是国家重点保密研究的对象。
这一步的主要目的就是让过量cu纳米粒中的cu原子掺杂进入空穴中，进而产生非平凡的量子现象，促使磁力阱的产生。
有了他这份拓扑物态的产生机制和特性的研究论文，量子计算机的发展应该是可以加快一些脚步的。
而探索强关联体系中拓扑物态的产生机制和特性，正是为实现新型量子器件提供理论的基础。
随后利用rf磁控溅射设备，将制备好的纳米材料溅射在srtio3基片上，形成一层薄膜。
如果高温高压引导法不适合改进型的超导材料，剩下的唯一途径，恐怕就是通过离子注入机来完成了。
但离子注入机的能级太高，会在较大程度上损坏超导体，降低性能不说，工业化量产也是个相当麻烦的事情。
毕竟这是原材料的制备，不是半导体的生产，总得考虑性价比和制备难度。
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(本章完)